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MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Fastreverserecoverytime:trr=135ns(typ.) (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.087Ω(typ.) (3)EasytocontrolGateswitching (4)Enhancementmode:Vth=3to4.5V(VDS=10V,ID=1.5mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
更新时间:2025-7-15 20:00:01
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