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MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=4.7Ω(typ.) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=720V) (3)Enhancementmode:Vth=2.5to4.0V(VDS=10V,ID=0.2mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

iscN-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

文件:834.34 Kbytes Page:5 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER
更新时间:2025-7-26 20:00:01
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