位置：首页 > IC中文资料第4486页 > TK2A65D
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
TK2A65D | Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBA 东芝 |   | |
TK2A65D | Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Polarity：N-ch\nGeneration：π-MOSⅦ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：马来西亚 Drain current ID 2 A \nPower Dissipation PD 30 W \nDrain-Source voltage VDSS 650 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ; | TOSHIBA 东芝 | | |
TK2A65D | Switching Voltage Regulators 文件：233.8 Kbytes Page：9 Pages | TOSHIBA 东芝 | | |
TK2A65D | iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：319.43 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
Lightning Surge Protectors for Electronics Equipment M-RESTER 文件：113.74 Kbytes Page：3 Pages | MSYSTEM 爱模 | |
TK2A65D产品属性
- 类型
描述
- 型号
TK2A65D
- 功能描述
MOSFET N-Ch MOS 2A 650V 30W 380pF 3.26
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TK2A65D参数引脚图相关
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2020-2-26TK150E09NE深圳市光华微科技有限公司18138231376
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2019-6-26
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