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TK16J55D

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

TK16J55D

Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V)

Polarity:N-ch\nGeneration:π-MOSⅦ\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available\nAssembly bases:日本 Drain current ID 16 A \nPower Dissipation PD 250 W \nDrain-Source voltage VDSS 550 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;

TOSHIBA

东芝

TK16J55D

Switching Regulator Applications

文件:195.63 Kbytes Page:6 Pages

TOSHIBA

东芝

TK16J55D

iscN-Channel MOSFET Transistor

文件:326.48 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

TK16J55D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TK16J55D

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    MOSFET Nch 550V 16A 0.37ohm/10V TO-3P(N)

更新时间:2026-5-14 14:11:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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