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MOSFETsSiliconN-ChannelMOS(DTMOSIV)

Applications SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:Rpg(on)=0.16Q(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vi,=2.7t03.7V(Vpg=10V,Ip=0.79mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
更新时间:2025-7-17 22:30:01
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