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TK110E65Z

丝印代码:K110E65Z;MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Switching Power Supplies Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.092 Ω (typ.) (2) High-speed switching properties with lower capacitance. (3) Enhancement mode: Vth = 3 to 4 V (VDS = 10 V, ID = 1.02 mA)

TOSHIBA

东芝

TK110E65Z

Power MOSFET (N-ch 500V

Application ScopeSwitching Voltage Regulators\nPolarityN-ch\nGenerationDTMOSⅥ\nInternal ConnectionSingle\nRoHS Compatible Product(s) (#)Available

TOSHIBA

东芝

更新时间:2026-7-23 18:17:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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TOSHIBA/东芝
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50000
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