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TK105V60Z1

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

Applications •SwitchingPowerSupplies Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.088Ω(typ.) (2)High-speedswitchingpropertieswiththelowercapacitance. (3)Enhancementmode:Vth=3to4V(VDS=10V,ID=0.93mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
更新时间:2025-7-19 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOKO
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NA/
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