型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

SiliconP-ChannelMOS(U-MOS)

1.Applications •Automotive •MotorDrivers •DC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators 2.Features (1)AEC-Q101qualified (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=38.5mΩ(typ.)(VGS=-10V) (3)Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-60V) (4)Enhancementmode:V

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=63mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

P-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features VDS=-60V,ID=-30A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

Bychip

P-Channel60V(D-S)MOSFET

文件:1.00375 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

MOSFETsSiliconP-ChannelMOS(U-MOS)

文件:249.29 Kbytes Page:9 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
更新时间:2025-7-15 22:59:01
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