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位置：首页 > IC中文资料第442页 > TISP8250DR-S

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
TISP8250DR-S

UNIDIRECTIONALP-GATETHYRISTOROVERVOLTAGEANDOVERCURRENTPROTECTOR

文件：183.95 Kbytes Page：4 Pages

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

Bourns
TISP8250DR-S

UNIDIRECTIONALP-GATETHYRISTOROVERVOLTAGEANDOVERCURRENTPROTECTOR

文件：257.6 Kbytes Page：4 Pages

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

Bourns
TISP8250DR-S

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：散装 描述：THYRISTOR 250V 30A 8SOIC 电路保护 TVS - 晶闸管

ETC

知名厂家

AD8250

12MHz20V/usG=1,2,5,10ProgrammableGainiCMOSInstrumentationAmplifier

GENERALDESCRIPTION TheAD8250isaninstrumentationamplifierwithdigitallyprogrammablegainsthathasGΩinputimpedance,lowoutputnoise,andlowdistortionmakingitsuitableforinterfacingwithsensorsanddrivinghighsamplerateanalog-to-digitalconverters(ADCs).Ithasahighbandwi

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD
AD8250

WideSupplyRange,Rail-to-RailOutputInstrumentationAmplifier

GENERALDESCRIPTION TheAD8426isadual-channel,lowcost,widesupplyrangeinstrumentationamplifierthatrequiresonlyoneexternalresistortosetanygainfrom1to1000. TheAD8426isdesignedtoworkwithavarietyofsignalvoltages.Awideinputrangeandrail-to-railoutputallowthe

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD
AD8250

10MHz,20V/關s,G=1,10,100,1000iCMOS짰ProgrammableGainInstrumentationAmplifier

GENERALDESCRIPTION TheAD8253isaninstrumentationamplifierwithdigitallyprogrammablegainsthathasGΩinputimpedance,lowoutputnoise,andlowdistortionmakingitsuitableforinterfacingwithsensorsanddrivinghighsamplerateanalog-to-digitalconverters(ADCs).Ithashighbandwidt

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD
8250

MSDHVCCoil

文件：134.74 Kbytes Page：2 Pages

MALLORYMallory Sonalert Products Inc.

马洛里

MALLORY
8250

DSubPlugConnector,50Position

文件：42.48 Kbytes Page：3 Pages

3M

3M Electronics

3M

TISP8250DR-S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TISP8250DR-S

  • 功能描述

    SCR PROTECTOR - GATED UNIDIRECTIONAL

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics 最大转折电流

  • IBO

    480 A 额定重复关闭状态电压

  • VDRM

    600 V

  • 关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）

    5 uA

  • 开启状态

    RMS

  • 正向电压下降

    1.6 V

  • 栅触发电压(Vgt)

    1.3 V

  • 最大栅极峰值反向电压

    5 V

  • 栅触发电流(Igt)

    35 mA 保持电流（Ih

  • 最大值）

    75 mA

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    TO-220

  • 封装

    Tube

TISP8250DR-S供应商更多...

更新时间：2025-7-7 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
TISP8250DR-S
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