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TIM6472-60SL

MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ・HIGH POWER P1dB= 48.0dBm at 6.4GHz to 7.2GHz ・HIGH GAIN G1dB= 7.5dB at 6.4GHz to 7.2GHz ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3(MIN.) = -42dBc at Pout= 36.5dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

TIM6472-60SL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TIM6472-60SL

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    TRANSISTOR,GAAS FET INTERNALLY MATCHED, 6GHZ, 60W - Trays

更新时间:2026-5-21 17:24:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
台湾寰达/DIPTRONICS
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TO-59
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