型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
TIM1213-30L

MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ・HIGH POWER P1dB= 45.0dBm at 12.7GHz to 13.2GHz ・HIGH GAIN G1dB= 5.5dB at 12.7GHz to 13.2GHz ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3= -28dBc at Pout= 33dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

TIM1213-30L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TIM1213-30L

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    TRANSISTOR, GAAS FET INTERNALLY MATCHED, 13GHZ, 60W - Trays

更新时间:2025-11-24 20:07:00
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