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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 60V, 33A, RDS(ON) = 23mΩ @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package.

CET

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 60V, 33A, RDS(ON) = 20mW @VGS = 10V Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 25mW @VGS = 4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

Precision Potentiometer / Position Sensor

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BITECH

瑞谷拜特

0.5A Dual USB High-Side Power Switch

文件:222.45 Kbytes Page:9 Pages

AIC

High-Speed USB 2.0 (480 Mbps) DPDT Switch

文件:518.88 Kbytes Page:10 Pages

AOSMD

万国半导体

更新时间:2025-8-7 17:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi/台湾微碧
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