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HEXINVERTEROPENDRAIN

DESCRIPTION The74VHC05isanadvancedhigh-speedCMOSOPENDRAINHEXINVERTERfabricatedwithsub-micronsilicongateanddouble-layermetalwiringC2MOStechnology. ■HIGHSPEED:tPD=3.8ns(TYP.)atVCC=5V ■LOWPOWERDISSIPATION: ICC=2µA(MAX.)atTA=25°C ■HIGHNOISEIMMUN

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FunctionalDescription •HexInverter(OpenDrain) General The74VHC05FTisanadvancedhighspeedCMOSINVERTERfabricatedwithsilicongateC2MOStechnology. ItachievesthehighspeedoperationsimilartoequivalentBipolarSchottkyTTLwhilemaintainingtheCMOS lowpowerdissipation.

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

HEXINVERTEROPENDRAIN

DESCRIPTION The74VHC05isanadvancedhigh-speedCMOSOPENDRAINHEXINVERTERfabricatedwithsub-micronsilicongateanddouble-layermetalwiringC2MOStechnology. ■HIGHSPEED:tPD=3.8ns(TYP.)atVCC=5V ■LOWPOWERDISSIPATION: ICC=2µA(MAX.)atTA=25°C ■HIGHNOISEIMMUN

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更新时间:2025-7-7 23:00:01
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