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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO	操作
TC58NYG2S0FBAI4	4 GBIT (512M X 8 BIT) CMOS NAND E2 PROM DESCRIPTION The TC58NYG2S0F is a single 1.8V 4 Gbit (4,529,848,320 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as (4096  224) bytes  64 pages  2048blocks. The device has two 4320-byte static registers which allow program and read data to be tran	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

TC58NYG2S0FBAI4供应商更多...

更新时间：2025-9-27 11:27:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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TC670ECHTR
www.jskj-ic.com
2021-9-7
TC58NVG1S3HTA00 深圳旭亨半导体有限公司
TC58NVG1S3HTA00 TOSHIBA 原装现货长期供应 0755-23615656 / 185 6669 6862 QQ：2880524286
2021-4-13
TC58NVG2S3ETA00
TC58NVG2S3ETA00，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-1-29
TC72-5.0MUA
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2020-2-18
TC58NVM9S3ETA00
FLASH-NAND / 64MX8 NAND SLC / TSOP-48 / 25 NS / 0° ~ 70°C / RoHS / 2.7v-3.6v / TRAY / EOL / 480 PCS
2019-12-14
TC7660H-高频7660的DC-DC电压转换器...
TC7660H是引脚兼容的，高频率的升级行业标准的TC7660电荷泵电压转换器。它转换为+1.5 V至+10 V输入到相应的 - 1.5V至- 10V的输出，使用只有两个低成本电容，无需电感器和其相关的成本，尺寸和EMI。TC7660H（而不是在120kHz频率10kHz时的TC7660），允许使用的1.0mF外部电容。振荡频率可减少（更低的电源电流的应用）通过连接从OSC接地的外部电容。TC7660H是8脚DIP和小外形在商业和扩展温度（SOIC）封装范围。TC7660H包含所有必要的电路，实施高压变频器，两个例外外部电容，这可能是廉价的1.0mF无极电容器。行动是最好的理解考虑图2显示了一
2012-12-18