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TC58NVG1S3BFT00

TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

2 GBIT (256M × 8 BIT/128M × 16 BIT) CMOS NAND E2PROM DESCRIPTION The TC58NVG1SxB is a single 3.3 V 2 Gbit (2,214,592,512 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as (2048 + 64) bytes/(1024 + 32) words × 64 pages × 2048 blocks. The device has a 21

TOSHIBA

东芝

TC58NVG1S3BFT00

TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-11-7 23:00:00
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