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TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

512-MBIT (64M u 8 BITS) CMOS NAND E2PROM DESCRIPTION The device is a single 3.3 V 512-Mbit (553,648,128) bit NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as 528 bytes u 32 pages u 4096 blocks. The device has a 528-byte static register which allows program

TOSHIBA

东芝

TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

TOSHIBA

东芝

TC58DVM92A1FTI产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TC58DVM92A1FTI

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    512 Mb(64M x 8) Nand, Flash Memory

更新时间:2025-11-21 20:00:00
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