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MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

DESCRIPTION The device is a single 3.3 V 1-Gbit (553,648,128) bit NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as 528 bytes u32 pages u4096 blocks. The device has a 528-byte static register which allows program and read data to be transferred between t

TOSHIBA

东芝

TC58DVM92A1FT00BBH产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TC58DVM92A1FT00BBH

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

更新时间:2025-11-21 20:31:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
存储器
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