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MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

DESCRIPTION The device is a single 3.3 V 1-Gbit (553,648,128) bit NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as 528 bytes u32 pages u4096 blocks. The device has a 528-byte static register which allows program and read data to be transferred between t

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TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

512-MBIT (64M u 8 BITS) CMOS NAND E2PROM DESCRIPTION The device is a single 3.3 V 512-Mbit (553,648,128) bit NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as 528 bytes u 32 pages u 4096 blocks. The device has a 528-byte static register which allows program

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MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

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TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

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TC58DVM92A1FT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TC58DVM92A1FT

  • 功能描述

    IC FLASH 512MBIT 50NS 48TSOP

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    576

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    闪存

  • 存储器类型

    闪存 - NAND

  • 存储容量

    512M(64M x 8)

  • 速度

    -

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    2.7 V ~ 3.6 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    48-TFSOP(0.724,18.40mm 宽)

  • 供应商设备封装

    48-TSOP

  • 包装

    托盘

  • 其它名称

    497-5040

更新时间:2025-11-21 20:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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存储器
TSOP48
41873
TOSHIBA存储芯片TC58DVM92A1FT00即刻询购立享优惠#长期有货
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