型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
TC55VBM316AFTN55

TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

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TOSHIBA

东芝

TC55VBM316AFTN55产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TC55VBM316AFTN55

  • 功能描述

    IC SRAM 8MBIT 55NS 48TSOP

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    150

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    EEPROMs - 串行

  • 存储器类型

    EEPROM

  • 存储容量

    4K(2 x 256 x 8)

  • 速度

    400kHz

  • 接口

    I²C,2 线串口

  • 电源电压

    2.5 V ~ 5.5 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    8-VFDFN 裸露焊盘

  • 供应商设备封装

    8-DFN(2x3)

  • 包装

    管件

  • 产品目录页面

    1445(CN2011-ZH PDF)

更新时间:2025-11-21 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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原装正品,支持实单

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    原装现货

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