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TC51V8512AF-12

524,288WORDx8BITCMOSPSEUDOSTATICRAM

Description TheTC51V8512AFisa4MbithighspeedCMOSpseudostaticRAMorganizedas524,288wordsby8bits.TheTC51V8512AF utilizesaonetransistordynamicmemorycellwithCMOSperipheralcircuitrytoprovidehighcapacity,highspeedandlowpower storage.TheTC51V8512AFoperatesfrom

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
更新时间:2024-5-17 18:06:00
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