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MOSFET20VN-CHANNELENHANCEMENTMODE

FEATURES High-speedswitching,LowOn-resistance 1.2VLowgatedrive ESDprotected AvailableinSC89-3package DESCRIPTION VDS=20V VGS=±8V ID(A)=0.83A RDS(ON)=200mΩ(Typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=245mΩ(Typ.)@VGS=2.5V RDS(ON)=310mΩ(Typ.)@VGS=1.8V RDS(ON)=380mΩ(Typ.)@VGS=1.5V RDS(ON)=

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

创瑞科技AiT创瑞科技

AITSEMI

100VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheAO4452isfabricatedwithSDMOSTMtrenchtechnologythatcombinesexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Theresultisoutstandingefficiencywithcontrolledswitchingbehavior.ThisuniversaltechnologyiswellsuitedforPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplicatio

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD

Pushbuttonvalve

文件:91.47 Kbytes Page:1 Pages

FESTOFesto Corporation.

费斯托

FESTO

115dB768kHz32-bit2chPremiumDAC

文件:2.38194 Mbytes Page:82 Pages

AKMAsahi Kasei Microsystems

旭化成微电子旭化成微电子株式会社

AKM

115dB768kHz32-bit2chPremiumDAC

文件:2.84334 Mbytes Page:91 Pages

AKMAsahi Kasei Microsystems

旭化成微电子旭化成微电子株式会社

AKM
更新时间:2025-7-14 17:10:01
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