| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
TC1N4740A | 1 Watt DO-41 Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators 文件:496.53 Kbytes Page:6 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ||
TC1N4740A | 1 Watt DO-41 Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators 文件:178.2 Kbytes Page:5 Pages | TAK_CHEONG 德昌电子 | ||
TC1N4740A | 1 Watt DO-41 Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators 文件:454.85 Kbytes Page:5 Pages | TAK_CHEONG 德昌电子 | ||
TC1N4740A | 稳压二极管 | TAKCHEONG 德昌电子 | ||
SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES?
| SEMTECH 先之科 | |||
SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES
| SURGE | |||
Voltage regulator diodes DESCRIPTION Low voltage regulator diodes in hermetically sealed SOD66 (DO-41) packages. The series consists of 22 types with nominal working voltages from 3.3 to 24 V. FEATURES • Total power dissipation: max. 1000 mW • Tolerance series: ±5 • Working voltage range: nom. 3.3 to 24 V | PHILIPS 飞利浦 | |||
Silicon Power Z-Diodes Features ● Very sharp reverse characteristic ● Very high stability ● Low reverse current level ● VZ–tolerance ± 5 Applications Voltage stabilization | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |||
One Watt Zeners 文件:22.83 Kbytes Page:2 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 |
TC1N4740A产品属性
- 类型
描述
- VZ@IZT_Min.(V):
9.5
- VZ@IZT_Nom.(V):
10
- VZ@IZT_Max.(V):
10.5
- IZT(mA):
25
- ZZT@IZT(Ω):
8
- ZZK@IZT(Ω):
700
- IZK(mA):
0.25
- IR(μA):
10
- VR(V):
7.6
- Package:
DO-41
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MINI-CIRCUITS |
2545+ |
SMD |
4560 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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MINI |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
MINI |
22+ |
NA |
5000 |
只做原装,价格优惠,长期供货。 |
|||
MINI |
24+ |
SMD |
3600 |
MINI专营品牌全新原装正品假一赔十 |
|||
Mini-Circuits |
23+ |
N/A |
10000 |
原装现货 假一赔十 |
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MINI-CIRCUITS |
2410+ |
SOP |
9000 |
十年芯路!只做原装!一直起卖! |
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Mini-Circuits |
2023+ |
AT224-1A |
100 |
专业销售MINI电子元件,常年备有大量库存 |
|||
Mini-Circuits |
24+ |
SMA |
8500 |
Mini-Circuits/ADI国外工厂订货渠道 |
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MINI |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
||||
Mini-Circuits |
24+ |
1000 |
优势货源原装正品 |
TC1N4740A规格书下载地址
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2019-11-11TC1426-1.2A的双路高速MOSFET驱动器
特征 低的成本 闭锁保护:可承受500毫安的反输出电流 ESD保护..................±2千伏 高峰值输出电流................. 1.2A的峰值 高容性负载驱动能力.................为1000pF在38nsec 宽工作电压范围.................4.5V至16V的 低延时................. 75nsec最大 独立的逻辑输入阈值电源电压 输出电压摆幅25mV的范围内的接地或VDD低输出阻抗..
2013-2-24TC170-CMOS电流模式PWM控制器
TC170带来的低功耗CMOS技术电流模式开关电源控制器市场。最大供电电流为3.8毫安。双极电流模式控制集成电路要求的5倍以上的操作系统电流。图腾柱的双CMOS输出驱动电源MOSFET或双极晶体管。 50nsec的典型输出上升和下降时间(1000pF的容性负载)最小化MOSFET功耗。输出峰值电流为300mA。TC170包含一个全面的系统保护阵列电路(见功能)。电流模式控制,允许用户并行电源模块。可以从属于两个或两个以上TC170控制器并行操作。电路可以工作在掌握TC170内部振荡器或外部系统振荡器。TC170经营从8V至16V电源。5.1V参考内部的2%,大大减少了外部组件计数。 TC170
2012-11-25
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