位置:首页 > IC中文资料 > TC160G16AF-1106
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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TOSHIBA |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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22+ |
QFP |
2700 |
全新原装自家现货优势! |
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TOSHIBA/东芝 |
21+ |
QFP100 |
15000 |
原厂VIP渠道,亚太地区一级代理商,可提供更多数量! |
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N/A |
17+ |
QFP |
9800 |
只做全新进口原装,现货库存 |
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TOSHIBA |
2019+ |
QFP100 |
9850 |
公司原装现货/长期供应 |
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TOSHIBA |
2021+ |
60000 |
原装现货,欢迎询价 |
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TOSHIBA/东芝 |
18+ |
2500 |
询价15919799957 |
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TOSHIBA/东芝 |
22+ |
QFP100 |
25000 |
只做原装,一站式BOM配单,假一罚十 |
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TOSHIBA |
23+ |
QFP100 |
7750 |
全新原装优势 |
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TOSHIBA/东芝 |
21+ |
QFP |
200 |
原装现货假一赔十 |
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TOSHIBA |
16+ |
原装进口原厂原包接受订货 |
273 |
原装现货假一罚十 |
TC160G16AF-1106规格书下载地址
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2020-4-12TC203G74ES
TC203G74ES
2019-11-11TC1410-0.5A的高速MOSFET驱动器
概述0.5V时的TC1410/1410N是缓冲区的CMOS/驱动器。他们不会在任何情况下锁定了其权力范围内和电压等级。他们不是受损害时,高达任何极性扣球发生在5V的噪声接地引脚。他们可以接受,而不会损坏或逻辑不安,高达500mA的电流极性任被迫返回到他们的输出。所有终端得到充分保护,以防止注册4kV的静电放电。由于MOSFET驱动器,可以很容易的TC1410/1410N开关25nsec与匹配的上升500pF陶瓷电容的栅极电容和下降时间,并提供足够的阻抗都低ON和OFF的状态,以确保MOSFET的预期状态不会受到影响,甚至大的瞬态。上升和下降时间的边缘匹配,让驾驶更准确的
2013-2-25TC1426-1.2A的双路高速MOSFET驱动器
特征低的成本闭锁保护:可承受500毫安的反输出电流ESD保护..................±2千伏高峰值输出电流.................1.2A的峰值高容性负载驱动能力.................为1000pF在38nsec宽工作电压范围.................4.5V至16V的低延时.................75nsec最大独立的逻辑输入阈值电源电压输出电压摆幅25mV的范围内的接地或VDD低输出阻抗..
2013-2-24TC170-CMOS电流模式PWM控制器
TC170带来的低功耗CMOS技术电流模式开关电源控制器市场。最大供电电流为3.8毫安。双极电流模式控制集成电路要求的5倍以上的操作系统电流。图腾柱的双CMOS输出驱动电源MOSFET或双极晶体管。50nsec的典型输出上升和下降时间(1000pF的容性负载)最小化MOSFET功耗。输出峰值电流为300mA。TC170包含一个全面的系统保护阵列电路(见功能)。电流模式控制,允许用户并行电源模块。可以从属于两个或两个以上TC170控制器并行操作。电路可以工作在掌握TC170内部振荡器或外部系统振荡器。TC170经营从8V至16V电源。5.1V参考内部的2%,大大减少了外部组件计数。TC170
2012-11-25
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