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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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TC1550TG-G | N-andP-ChannelEnhancement-ModeDualMOSFET 文件:385.14 Kbytes Page:5 Pages | SUTEX Supertex, Inc | ||
TC1550TG-G | N-andP-ChannelEnhancement-ModeDualMOSFET 文件:424.83 Kbytes Page:5 Pages | SUTEX Supertex, Inc | ||
CustomerSpecification Construction 1)Component11X1HOOKUP a)Conductor24(7/32)AWGTinnedCopper0.024 b)Insulation0.016Wall,Nom.PVC0.056+/-0.002 (1)Color(s) WHITE,BLACK,RED,GREEN,YELLOW,BLUE,BROWN ORANGE,SLATE,VIOLET,WHITE/BLACK,WHITE/RED WHITE/GREEN,WHITE/YELLOW,WHITE/BLUE WHITE | ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线 | |||
SwitchingDCPowerSupplywithUSBCharger 文件:815.39 Kbytes Page:1 Pages | BKB&K Precision Corporation B & k B & k 精密机械有限公司 | |||
CustomerSpecification 文件:69.26 Kbytes Page:2 Pages | ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线 | |||
USBchargingportonfrontpanel 文件:815.39 Kbytes Page:1 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 | |||
EVAFoamGasketsuppliedwithLiquidResistantEnclosures 文件:575.63 Kbytes Page:1 Pages | HAMMOND Hammond Manufacturing Ltd. |
TC1550TG-G产品属性
- 类型
描述
- 型号
TC1550TG-G
- 功能描述
MOSFET 500V N&P 60/125 Ohm
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Paktron |
2308+ |
505886 |
一级代理,原装正品,公司现货! |
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MICROCHIP/微芯 |
23+ |
N/A |
5200 |
原厂原装 |
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SUPERTEX |
24+ |
SOP8 |
9370 |
自己现货价格优势 |
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MICROCHIP/微芯 |
23+ |
8SOIC |
54258 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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MICROCHIP/微芯 |
21+ |
8SOIC |
15000 |
原厂VIP渠道,亚太地区一级代理商,可提供更多数量! |
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MICROCHIP |
SOIC |
3300 |
7224 |
进口原装 |
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MICROCHIP(美国微芯) |
2112+ |
SOIC-8 |
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3300个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
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MICROCHIP/微芯 |
21+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
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Microchip Technology |
21+ |
轴向 |
59049 |
专业分立半导体,原装渠道正品现货 |
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Microchip(微芯) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
TC1550TG-G规格书下载地址
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2020-4-12TC203G74ES
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2019-11-11TC1410-0.5A的高速MOSFET驱动器
概述0.5V时的TC1410/1410N是缓冲区的CMOS/驱动器。他们不会在任何情况下锁定了其权力范围内和电压等级。他们不是受损害时,高达任何极性扣球发生在5V的噪声接地引脚。他们可以接受,而不会损坏或逻辑不安,高达500mA的电流极性任被迫返回到他们的输出。所有终端得到充分保护,以防止注册4kV的静电放电。由于MOSFET驱动器,可以很容易的TC1410/1410N开关25nsec与匹配的上升500pF陶瓷电容的栅极电容和下降时间,并提供足够的阻抗都低ON和OFF的状态,以确保MOSFET的预期状态不会受到影响,甚至大的瞬态。上升和下降时间的边缘匹配,让驾驶更准确的
2013-2-25TC1426-1.2A的双路高速MOSFET驱动器
特征低的成本闭锁保护:可承受500毫安的反输出电流ESD保护..................±2千伏高峰值输出电流.................1.2A的峰值高容性负载驱动能力.................为1000pF在38nsec宽工作电压范围.................4.5V至16V的低延时.................75nsec最大独立的逻辑输入阈值电源电压输出电压摆幅25mV的范围内的接地或VDD低输出阻抗..
2013-2-24TC170-CMOS电流模式PWM控制器
TC170带来的低功耗CMOS技术电流模式开关电源控制器市场。最大供电电流为3.8毫安。双极电流模式控制集成电路要求的5倍以上的操作系统电流。图腾柱的双CMOS输出驱动电源MOSFET或双极晶体管。50nsec的典型输出上升和下降时间(1000pF的容性负载)最小化MOSFET功耗。输出峰值电流为300mA。TC170包含一个全面的系统保护阵列电路(见功能)。电流模式控制,允许用户并行电源模块。可以从属于两个或两个以上TC170控制器并行操作。电路可以工作在掌握TC170内部振荡器或外部系统振荡器。TC170经营从8V至16V电源。5.1V参考内部的2%,大大减少了外部组件计数。TC170
2012-11-25TC1270-4针レP复位监视器
TC1270和TC1271是成本效益的系统旨在监视VCC的数字监控电路系统和提供一个复位信号到主机处理器。手动复位输入提供覆盖复位监控,适合作为一个按钮复位。没有外部组件是必需的。复位输出驱动20μsec内的活跃(4μsecF版本的VCC)通过复位电压下降阈值。最低RESET保持活跃140msec后复位阈值以上VCC上升。TC1271具有高有效复位输出,同时TC1270具有低电平有效的复位输出。下降到VCC=1V,TC1270的输出是有效的。两个器件提供4引脚SOT-143封装。TC1270/TC1271器件经过优化拒绝对VCC线快速瞬态毛刺。低电源目前7μA(VCC=3.3V)使这
2012-11-17
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