型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

SiliconPINDiodes

SiliconPINDiodes ●RFswitch ●RFattenuatorforfrequenciesabove10MHz ●Lowdistortionfactor ●Long-termstabilityofelectricalcharacteristics

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西门子德国西门子股份公司

SIEMENS

SiliconPINDiode

SiliconPINDiode •RFswitch,RFattenuatorforfrequenciesabove10MHz •Lowdistortionfaktor •Long-termstabilityofelectricalcharacteristics •Pb-free(RoHScompliant)package •QualifiedaccordingAECQ101

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

SiliconPINDiode

文件:87.29 Kbytes Page:7 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

RFswitch,RFattenuatorforfrequenciesabove10MHz

文件:848.04 Kbytes Page:7 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

SiliconPINDiode

文件:848.04 Kbytes Page:7 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
更新时间:2025-7-18 22:59:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
标准封装
9548
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。
Infineon
23+
NA
20000
全新原装假一赔十
INFINEO
24+
SOT-23
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
ROHM/罗姆
24+
SOP18
12866
公司现货库存,支持实单
INFINEON
25+
SOT23
66749
原装正品,假一罚十!
INFINEON/英飞凌
24+
SOT23
159650
明嘉莱只做原装正品现货
Infineo
21+
VQFN
9800
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!
INFINEON/英飞凌
25+
SOT23-3
13796
INFINEON/英飞凌原装特价BAR15-1即刻询购立享优惠#长期有货
INFINEON
24+
SOT23-3
5000
全新原装正品,现货销售
ZYINF
23+
SOT-23
50000
原装正品 支持实单

TC15-1-BG芯片相关品牌

  • DATADELAY
  • Fujitsu
  • Hittite
  • JHE
  • Lattice
  • Microsemi
  • MOLEX10
  • NUMONYX
  • SHARMA
  • TI1
  • Vitec
  • ZSELEC

TC15-1-BG数据表相关新闻

  • TC160G16AF-0015,TC160G41AF-1415,TC160G70AF

    TC160G16AF-0015,TC160G41AF-1415,TC160G70AF

    2020-4-12
  • TC203G74ES

    TC203G74ES

    2019-11-11
  • TC1410-0.5A的高速MOSFET驱动器

    概述0.5V时的TC1410/1410N是缓冲区的CMOS/驱动器。他们不会在任何情况下锁定了其权力范围内和电压等级。他们不是受损害时,高达任何极性扣球发生在5V的噪声接地引脚。他们可以接受,而不会损坏或逻辑不安,高达500mA的电流极性任被迫返回到他们的输出。所有终端得到充分保护,以防止注册4kV的静电放电。由于MOSFET驱动器,可以很容易的TC1410/1410N开关25nsec与匹配的上升500pF陶瓷电容的栅极电容和下降时间,并提供足够的阻抗都低ON和OFF的状态,以确保MOSFET的预期状态不会受到影响,甚至大的瞬态。上升和下降时间的边缘匹配,让驾驶更准确的

    2013-2-25
  • TC1426-1.2A的双路高速MOSFET驱动器

    特征低的成本闭锁保护:可承受500毫安的反输出电流ESD保护..................±2千伏高峰值输出电流.................1.2A的峰值高容性负载驱动能力.................为1000pF在38nsec宽工作电压范围.................4.5V至16V的低延时.................75nsec最大独立的逻辑输入阈值电源电压输出电压摆幅25mV的范围内的接地或VDD低输出阻抗..

    2013-2-24
  • TC170-CMOS电流模式PWM控制器

    TC170带来的低功耗CMOS技术电流模式开关电源控制器市场。最大供电电流为3.8毫安。双极电流模式控制集成电路要求的5倍以上的操作系统电流。图腾柱的双CMOS输出驱动电源MOSFET或双极晶体管。50nsec的典型输出上升和下降时间(1000pF的容性负载)最小化MOSFET功耗。输出峰值电流为300mA。TC170包含一个全面的系统保护阵列电路(见功能)。电流模式控制,允许用户并行电源模块。可以从属于两个或两个以上TC170控制器并行操作。电路可以工作在掌握TC170内部振荡器或外部系统振荡器。TC170经营从8V至16V电源。5.1V参考内部的2%,大大减少了外部组件计数。TC170

    2012-11-25
  • TC1270-4针レP复位监视器

    TC1270和TC1271是成本效益的系统旨在监视VCC的数字监控电路系统和提供一个复位信号到主机处理器。手动复位输入提供覆盖复位监控,适合作为一个按钮复位。没有外部组件是必需的。复位输出驱动20μsec内的活跃(4μsecF版本的VCC)通过复位电压下降阈值。最低RESET保持活跃140msec后复位阈值以上VCC上升。TC1271具有高有效复位输出,同时TC1270具有低电平有效的复位输出。下降到VCC=1V,TC1270的输出是有效的。两个器件提供4引脚SOT-143封装。TC1270/TC1271器件经过优化拒绝对VCC线快速瞬态毛刺。低电源目前7μA(VCC=3.3V)使这

    2012-11-17