型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
TC1411NVUA

封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 包装:管件 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOP 集成电路(IC) 栅极驱动器

Microchip

微芯科技

封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 包装:管件 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOP 集成电路(IC) 栅极驱动器

Microchip

微芯科技

Audio Snake Cable, #24-12pr, TC, Indiv. Shielded, CMR

Product Description Audio Snake Cable, 12-24 AWG tinned copper pairs, polyolefin insulation, individually shielded with Beldfoil® bonded to numbered/color-coded PVC jackets so both strip simulteaneously, overall Beldfoil® shield, drain, PVC jacket

BELDEN

百通

2??Max On Resistance, 짹15 V/12 V/짹5 V iCMOS??Quad SPST Switch

GENERAL DESCRIPTION The ADG1411/ADG1412/ADG1413 are monolithic complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) devices containing four independently selectable switches designed on an iCMOS® process. iCMOS (industrial CMOS) is a modular manufacturing process combining high voltage CMOS and bipolar

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Premier Supplier of Electronic Hardware

文件:5.0379 Mbytes Page:60 Pages

ABBATRON

12GVUGE NATURAL ALUMINUM BODY 1411DU ASA61 GREY POWDER PAINTED ALUMINUM BODY

文件:137.42 Kbytes Page:1 Pages

HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited

哈蒙德哈蒙德制造有限公司

Enclosures can be Factory Modified

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HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited

哈蒙德哈蒙德制造有限公司

TC1411NVUA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TC1411NVUA

  • 功能描述

    功率驱动器IC 1.0A Sngl MOSFET Drvr N-Inv

  • RoHS

  • 制造商

    Micrel

  • 产品

    MOSFET Gate Drivers

  • 类型

    Low Cost High or Low Side MOSFET Driver

  • 电源电压-最大

    30 V

  • 电源电压-最小

    2.75 V

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-8

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-20 13:55:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    2020-4-12
  • TC1410-0.5A的高速MOSFET驱动器

    概述 0.5V时的TC1410/1410N是缓冲区的CMOS/驱动器。他们不会在任何情况下锁定了其权力范围内和电压等级。他们不是受损害时,高达任何极性扣球发生在5V的噪声接地引脚。他们可以接受,而不会损坏或逻辑不安,高达500mA的电流极性任被迫返回到他们的输出。所有终端得到充分保护,以防止注册4 kV的静电放电。由于MOSFET驱动器,可以很容易的TC1410/1410N开关25nsec与匹配的上升500 pF陶瓷电容的栅极电容和下降时间,并提供足够的阻抗都低ON和OFF的状态,以确保MOSFET的预期状态不会受到影响,甚至大的瞬态。上升和下降时间的边缘匹配,让驾驶更准确的

    2013-2-25
  • TC1426-1.2A的双路高速MOSFET驱动器

    特征 低的成本 闭锁保护:可承受500毫安的反输出电流 ESD保护..................±2千伏 高峰值输出电流................. 1.2A的峰值 高容性负载驱动能力.................为1000pF在38nsec 宽工作电压范围.................4.5V至16V的 低延时................. 75nsec最大 独立的逻辑输入阈值电源电压 输出电压摆幅25mV的范围内的接地或VDD低输出阻抗..

    2013-2-24
  • TC1265-800毫安固定输出CMOS LDO,带有关断

    说明 TC1265是固定输出,高精确度(典型±0.5%)的CMOS低压差稳压器。设计专为电池供电系统,TC1265的CMOS结构消除浪费的接地电流,显着延长电池寿命。总电源电流通常是在满负荷(20至60倍低于80μA双极型稳压器)。TC1265的主要特征包括超低噪音操作,非常低的压差电压(通常为450毫伏在满负荷)和快速响应,以加强对负荷变化。TC1265采用两种过热和过流保护。 TC1265与稳定只有1μF的输出电容和一个最大输出电流为800 mA。它采用8引脚SOIC,5引脚TO - 220和5引脚DDPAK封装。 特点 •

    2013-1-11
  • TC170-CMOS电流模式PWM控制器

    TC170带来的低功耗CMOS技术电流模式开关电源控制器市场。最大供电电流为3.8毫安。双极电流模式控制集成电路要求的5倍以上的操作系统电流。图腾柱的双CMOS输出驱动电源MOSFET或双极晶体管。 50nsec的典型输出上升和下降时间(1000pF的容性负载)最小化MOSFET功耗。输出峰值电流为300mA。TC170包含一个全面的系统保护阵列电路(见功能)。电流模式控制,允许用户并行电源模块。可以从属于两个或两个以上TC170控制器并行操作。电路可以工作在掌握TC170内部振荡器或外部系统振荡器。TC170经营从8V至16V电源。5.1V参考内部的2%,大大减少了外部组件计数。 TC170

    2012-11-25
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    2012-11-17