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TC-16.384MBD-T	封装/外壳：4-SMD，无引线功能：启用/禁用包装：卷带（TR）描述：MEMS OSC XO 16.3840MHZ CMOS SMD 晶体，振荡器，谐振器振荡器	TXCCORPORATIONTXCCORPORATION 台湾晶技
SCOCXOLVT-A16.384MHZ	Fastwarm-up 文件：326.49 Kbytes Page：3 Pages	MICROCRYSTAL MICORO CRYSTAL SWITZERLAND
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更新时间：2024-6-22 17:08:00

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2020-4-12
TC203G74ES
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2019-11-11
TC1410-0.5A的高速MOSFET驱动器
概述0.5V时的TC1410/1410N是缓冲区的CMOS/驱动器。他们不会在任何情况下锁定了其权力范围内和电压等级。他们不是受损害时，高达任何极性扣球发生在5V的噪声接地引脚。他们可以接受，而不会损坏或逻辑不安，高达500mA的电流极性任被迫返回到他们的输出。所有终端得到充分保护，以防止注册4kV的静电放电。由于MOSFET驱动器，可以很容易的TC1410/1410N开关25nsec与匹配的上升500pF陶瓷电容的栅极电容和下降时间，并提供足够的阻抗都低ON和OFF的状态，以确保MOSFET的预期状态不会受到影响，甚至大的瞬态。上升和下降时间的边缘匹配，让驾驶更准确的
2013-2-25
TC1426-1.2A的双路高速MOSFET驱动器
特征低的成本闭锁保护：可承受500毫安的反输出电流ESD保护..................±2千伏高峰值输出电流.................1.2A的峰值高容性负载驱动能力.................为1000pF在38nsec宽工作电压范围.................4.5V至16V的低延时.................75nsec最大独立的逻辑输入阈值电源电压输出电压摆幅25mV的范围内的接地或VDD低输出阻抗..
2013-2-24
TC170-CMOS电流模式PWM控制器
TC170带来的低功耗CMOS技术电流模式开关电源控制器市场。最大供电电流为3.8毫安。双极电流模式控制集成电路要求的5倍以上的操作系统电流。图腾柱的双CMOS输出驱动电源MOSFET或双极晶体管。50nsec的典型输出上升和下降时间（1000pF的容性负载）最小化MOSFET功耗。输出峰值电流为300mA。TC170包含一个全面的系统保护阵列电路（见功能）。电流模式控制，允许用户并行电源模块。可以从属于两个或两个以上TC170控制器并行操作。电路可以工作在掌握TC170内部振荡器或外部系统振荡器。TC170经营从8V至16V电源。5.1V参考内部的2％，大大减少了外部组件计数。TC170
2012-11-25
TC1270-4针レP复位监视器
TC1270和TC1271是成本效益的系统旨在监视VCC的数字监控电路系统和提供一个复位信号到主机处理器。手动复位输入提供覆盖复位监控，适合作为一个按钮复位。没有外部组件是必需的。复位输出驱动20μsec内的活跃（4μsecF版本的VCC）通过复位电压下降阈值。最低RESET保持活跃140msec后复位阈值以上VCC上升。TC1271具有高有效复位输出，同时TC1270具有低电平有效的复位输出。下降到VCC=1V，TC1270的输出是有效的。两个器件提供4引脚SOT-143封装。TC1270/TC1271器件经过优化拒绝对VCC线快速瞬态毛刺。低电源目前7μA（VCC=3.3V）使这
2012-11-17

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