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TBU-CA025-100-WH	TBUHighSpeedProtectors 文件：492.6 Kbytes Page：6 Pages	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
PSMN025-100D	N-channelTrenchMOSSiliconMAXstandardlevelFET 1.1Generaldescription SiliconMAXstandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)in aplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedfor useincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandb	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
PSMN025-100HS	N-channel100V,24.5mOhm,standardlevelMOSFETinLFPAK56DusingTrenchMOStechnology Generaldescription DualstandardlevelN-channelMOSFETinanLFPAK56D(DualPower-SO8)packageusing TrenchMOStechnology. Featuresandbenefits •HighpeakdraincurrentIDM •CopperclipandflexibleLeads •HighoperatingjunctiontemperatureTj=175°C •Superiorreliability •Low	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
PSMN025-100D	N-channelTrenchMOS횚transistor 文件：98.26 Kbytes Page：9 Pages	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
PSMN025-100D	N-channelTrenchMOSSiliconMAXstandardlevelFET 文件：177.95 Kbytes Page：11 Pages	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司

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更新时间：2024-5-31 17:52:01

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TBL009V-254-02GY-2GY
TBL009V-254-02GY-2GY
2024-5-22
TC1016-2.6VCTTR
TC1016-2.6VCTTR电子元器件MICROCHIP/微芯封装SOT23-5
2022-7-15
TC1016-1.8VCTTR
TC1016-1.8VCTTR电源管理芯片Microchip封装SOT23-5
2022-7-15
TBP28S86JP4
TBP28S86JP4
2022-6-17
TBP28L22N
TBP28L22N
2019-11-2
TC1014-50毫安CMOS LDO稳压器关断和参考旁路
一般说明TC1014是一个高准确度（通常为±0.5％）CMOS（双极），如低压差稳压器升级LP2980。专为电池供电系统的，TC1014的CMOS结构消除浪费接地电流，显着延长电池寿命。共有电源电流通常是在满负荷（50毫安20至60倍低于双极型稳压器）。TC1014的主要特性包括超低噪声操作（加上可选的旁路输入）;非常低的压差电压（在满负荷通常95mV）和内部前馈补偿快速响应，以加强对负荷变化。供应当关断输入电流减少到小于1mA低。TC1014还结合过温和过电流保护。TC1014是稳定，只有一个输出电容1MF和最大输出电流为100mA。对于高输出版本，请参阅TC1107，
2013-1-11