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T2322N晶体管资料
T2322N别名：T2322N三极管、T2322N晶体管、T2322N晶体三极管
T2322N生产厂家：
T2322N制作材料：Triac
T2322N性质：
T2322N封装形式：直插封装
T2322N极限工作电压：800V
T2322N最大电流允许值：2.5A
T2322N最大工作频率：<1MHZ或未知
T2322N引脚数：3
T2322N最大耗散功率：
T2322N放大倍数：
T2322N图片代号：A-83
T2322Nvtest：800
T2322Nhtest：999900
- T2322Natest：2.5
T2322Nwtest：0
T2322N代换 T2322N用什么型号代替：TAG232…,TXC18G…,T2302P…,Z0409…,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
T2322N | 2.5-A SENSITIVE GATE SILICON TRIACS [GE SOLID STATE] 2.5A Sensitive Gate Triacs For AC Power Switching | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 |   | |
SENSITIVE GATE TRIACs 2.5 AMPERES RMS 200 thru 600 VOLTS . . . designed primarily for ac power switching. The gate sensitivity of these triacs permits the use of economical transistorized or integrated circuit control circuits, and it enhances their use in low-power phase control and load-switching applications. • Very High Gate Sensitivity • Low On-S | MOTOROLA 摩托罗拉 | | ||
Silicon PNP Transistor Quad, General Purpose 文件：22.29 Kbytes Page：2 Pages | NTE | | ||
LinCMOSE LOW-VOLTAGE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：502.66 Kbytes Page：33 Pages | TI 德州仪器 | | ||
LinCMOSE LOW-VOLTAGE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：502.66 Kbytes Page：33 Pages | TI 德州仪器 | | ||
LinCMOSE LOW-VOLTAGE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：502.66 Kbytes Page：33 Pages | TI 德州仪器 | |
T2322N产品属性
- 类型
描述
- 型号
T2322N
- 功能描述
2.5-A SENSITIVE GATE SILICON TRIACS
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PULSE
|
100 |
原装现货,价格优惠 |
|||||
TOS |
26+ |
DIP |
9526 |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
TOSHIBA |
2025+ |
ZIP |
4865 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
TAE |
30 |
||||||
TOSHIBA |
22+ |
SIP |
3000 |
原装正品,支持实单 |
|||
PROTON |
24+ |
MODULE |
2100 |
一级代理/全新原装现货 供应!!! |
|||
ST/意法 |
22+ |
TO-263 |
99799 |
||||
INFINEON |
23+ |
5000A4800V5000V5200V |
12000 |
全新原装假一赔十 |
|||
原装 |
20+ |
原装 |
56200 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
INFINEON |
24+ |
MODULE |
1000 |
全新原装现货 |
T2322N规格书下载地址
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2020-4-13T3025BGGM，TG16CE552CJ，MN18815ZEL，MR27T1602F-1JLTNZ080，兴中扬是一家专业销售集成电路，进口ic，开关，连接器的公司，
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2020-1-4
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