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T1G6000528-Q3-EVB3

7W, 28V, DC ??6 GHz, GaN RF Power Transistor

General Description The TriQuint T1G6000528-Q3 is a 7 W (P 3dB) discrete GaN on SiC HEMT which operates from DC to 6 GHz and typically provides >10 dB gain at 6 GHz. The device is constructed with TriQuint’s proven 0.25 µm production process, which features advanced field plate techniques to opti

TriQuint

T1G6000528-Q3-EVB3

7W, 28V, DC ??6 GHz, GaN RF Power Transistor

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TriQuint

T1G6000528-Q3-EVB3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    T1G6000528-Q3-EVB3

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 3.0-3.5GHz Eval Board

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-11-19 18:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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