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VP0106N3中文资料

厂家型号

VP0106N3

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225.63Kbytes

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4

功能描述

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

MOSFET 60V 8Ohm

数据手册

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生产厂商

SUTEX

VP0106N3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VP0106N3

  • 功能描述

    MOSFET 60V 8Ohm

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-2-2 16:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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MICROCHIP(美国微芯)
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VP0106N3-G 价格

参考价格:¥3.8896

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