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位置：TN0110N3-GP002 > TN0110N3-GP002详情

TN0110N3-GP002中文资料

TN0110N3-GP002
厂家型号

TN0110N3-GP002
文件大小

635.8Kbytes
页面数量

5页
功能描述

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

MOSFET
数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商

SUTEX

相近规格书

TN0110N3-GP002产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TN0110N3-GP002

  • 功能描述

    MOSFET

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

TN0110N3-GP002供应商...

更新时间：2025-10-8 15:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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