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STX112中文资料

厂家型号

STX112

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5

功能描述

SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR

达林顿晶体管 NPN Power Darlington

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

STX112数据手册规格书PDF详情

Description

The devices are manufactured in planar technology with “base island” layout and monolithic Darlington configuration.

Features

■ Good hFE linearity

■ High fT frequency

■ Monolithic Darlington configuration with

integrated antiparallel collector-emitter diode

Application

■ Linear and switching industrial equipment

STX112产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STX112

  • 功能描述

    达林顿晶体管 NPN Power Darlington

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-9-30 15:49:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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