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STW10NA50中文资料

厂家型号

STW10NA50

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243.05Kbytes

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11

功能描述

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

MOSFET TO-247 N-CH 800V 6A

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

STW10NA50数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

This series of POWER MOSFETS represents the most advanced high voltage technology. The optimized cell layout coupled with a new proprietary edge termination concur to give the device low RDS(on) and gate charge, unequalled ruggedness and superior switching performance.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.7 Ω

■ ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C

■ LOW INTRINSIC CAPACITANCES

■ GATE GHARGE MINIMIZED

■ REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

■ SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)

■ DC-AC CONVERTERS FOR WELDING EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE

STW10NA50产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STW10NA50

  • 功能描述

    MOSFET TO-247 N-CH 800V 6A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-5 13:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
23+
TO-247
50000
全新原装正品现货,支持订货
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