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STV200N55F3中文资料
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Description
This n-channel enhancement mode Power
MOSFET is the latest refinement of ST’s
STripFET™ process. The resulting transistor
shows extremely high packing density for low on
resistance, rugged avalanche characteristics and
low gate charge.
Features
■ Conduction losses reduced
■ Low profile, very low parasitic inductance
Application
■ Switching applications
STV200N55F3产品属性
- 类型
描述
- 型号
STV200N55F3
- 功能描述
MOSFET N-channel 55 V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
21+ |
10-PowerSO |
1200 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
|||
STMicroelectronics |
2006 |
QFP |
215 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
|||
STMicroelectronics |
18+ |
ICDGTLCONVERGENCEPROC80- |
6800 |
公司原装现货/欢迎来电咨询! |
|||
ST |
24+ |
PowerSO-10 |
7500 |
||||
STMicro. |
23+ |
PowerSO-10 |
7750 |
全新原装优势 |
|||
ST |
24+ |
PowerSO-10裸 |
600 |
原装现货假一罚十 |
|||
STM |
1809+ |
SOP-10 |
326 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
ST |
22+ |
PowerSO10 Exposed Bottom Pad |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
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|||
ST |
21+ |
PowerSO-10 |
23480 |
STV200N55F3 价格
参考价格:¥10.2735
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- 72V281L15PFGI8
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- STPS052Z
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- UDZ8808
- XPD55008
Datasheet数据表PDF页码索引
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STMicroelectronics 意法半导体集团
意法半导体 (STMicroelectronics) 成立于1987年,总部位于瑞士日内瓦和法国巴黎,是一家全球领先的半导体公司。意法半导体专注于设计、制造和销售各种半导体解决方案,产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、通信等领域。 意法半导体的产品包括微控制器、模拟集成电路、功率半导体、传感器等。公司拥有多个研发中心和生产基地,致力于技术创新和研发投入。意法半导体在全球范围内拥有广泛的客户群和合作伙伴,为客户提供高品质的产品和解决方案。 公司的使命是通过半导体技术推动智能化和可持续发展,助力客户取得成功。意法半导体不仅注重商业成功,还注重社会责任、环境保护和可持续经营。企业价值观包括创新、尊重