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厂家型号	STS5P3LLH6
文件大小	538.34Kbytes
页面数量	15页
功能描述	P-channel 30 V, 0.048 ??typ., 5 A STripFET??H6 DeepGATE??Power MOSFET in an SO-8 package
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	STMICROELECTRONICS

Description

This device is a P-channel Power MOSFET

developed using the STripFET™ H6 technology

with a new trench gate structure. The resulting

Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all

packages.

Features

• Very low on-resistance RDS(on)

• Very low gate charge

• High avalanche ruggedness

• Low gate drive power loss

Applications

• Switching applications

STS5P3LLH6供应商...

更新时间：2025-10-5 8:02:00

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