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Features
Very low on-resistance
Very low gate charge
High avalanche ruggedness
Low gate drive power loss
Applications
Switching applications
Description
This device is a P-channel Power MOSFET
developed using the STripFET™ H6 technology
with a new trench gate structure. The resulting
Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all
packages.
更新时间：2025-9-30 15:49:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
25+ |
8-SOIC(0.154 3.90mm 宽) |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
STMicroelectronics |
21+ |
8-SO |
5000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
|||
ST/意法 |
23+ |
SO-8 |
100586 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
STM |
25+ |
SOP-8 |
3675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
ST |
22+ |
8SO |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
ST/意法 |
25+ |
ORIGINAL |
22800 |
原装现货 优势出货 |
|||
ST |
2405+ |
原厂封装 |
50000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83270616邹小姐 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
SO-8 |
986966 |
国产 |
|||
ST/意法 |
2511 |
SO-8 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
ST |
24+ |
07+ |
2 |
原装现货假一罚十 |
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