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STR2P3LLH6中文资料

厂家型号

STR2P3LLH6

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12

功能描述

Very low on-resistance

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

STR2P3LLH6数据手册规格书PDF详情

Description

This device is a P-channel Power MOSFET

developed using the STripFET™ H6 technology,

with a new trench gate structure. The resulting

Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all

packages.

Features

 Very low on-resistance

 Very low gate charge

 High avalanche ruggedness

 Low gate drive power loss

Applications

 Switching applications

更新时间:2025-10-6 13:02:00
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