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STQ1HN60K3-AP中文资料

厂家型号

STQ1HN60K3-AP

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14

功能描述

Gate charge minimized

MOSFET N-Ch 600V 6.4 Ohm 1.2A SuperMESH3 FET

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

STQ1HN60K3-AP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STQ1HN60K3-AP

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 600V 6.4 Ohm 1.2A SuperMESH3 FET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    600 V

  • 闸/源击穿电压

    30 V

  • 漏极连续电流

    0.4 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    6.7 Ohms

  • 配置

    Single

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    TO-92

  • 封装

    Ammo

更新时间:2025-9-26 16:21:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMICROELECTRONICS
23+
TO-92
30000
代理全新原装现货,价格优势
STMicroelectronics
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
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STQ1HN60K3-AP 价格

参考价格:¥1.7318

型号:STQ1HN60K3-AP 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STQ1HN60K3-AP多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STQ1HN60K3-AP批发/采购报价,STQ1HN60K3-AP行情走势销售排排榜,STQ1HN60K3-AP报价。