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STGP8NC60KD中文资料

厂家型号

STGP8NC60KD

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18

功能描述

600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT

IGBT 晶体管 N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

STGP8NC60KD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGP8NC60KD

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-30 15:49:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMicroelectronics
25+
TO-220-3
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
ST(意法半导体)
24+
TO-220
942
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
ST/意法半导体
22+
TO-220-3
6000
原装正品现货 可开增值税发票
ST/意法
24+
TO-220AB
6000
只做全新原装正品现货,假一罚十
ST
20000
原装现货,可追溯原厂渠道
ST
24+
TO-220-3
982
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STGP8NC60KD 价格

参考价格:¥3.0561

型号:STGP8NC60KD 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGP8NC60KD多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGP8NC60KD批发/采购报价,STGP8NC60KD行情走势销售排排榜,STGP8NC60KD报价。