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STGP14N60D中文资料

厂家型号

STGP14N60D

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11

功能描述

14 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

IGBT 晶体管 14A 600V SHRT CIR RUGGED IGBT

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

STGP14N60D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGP14N60D

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 14A 600V SHRT CIR RUGGED IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-4 10:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMicroelectronics
20+
DIP/8
600
全新现货热卖中欢迎查询
STMicroelectronics
24+
NA
3193
进口原装正品优势供应
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22+
TO2203
9000
原厂渠道,现货配单
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23+
TO2203
8000
只做原装现货
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22+
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