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STGP10NC60KD中文资料

STGP10NC60KD
厂家型号

STGP10NC60KD
文件大小

613.22Kbytes
页面数量

20页
功能描述

10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT

IGBT 晶体管 PowerMESH" IGBT
数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

相近规格书

STGP10NC60KD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGP10NC60KD

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 PowerMESH" IGBT

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

STGP10NC60KD供应商...

更新时间：2025-10-4 14:15:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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STGP10NC60KD 价格

参考价格：￥3.0561

型号：STGP10NC60KD 品牌：STMICROELECTRONICS 备注：这里有STGP10NC60KD多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STGP10NC60KD批发/采购报价，STGP10NC60KD行情走势销售排排榜，STGP10NC60KD报价。

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