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STGD18N40LZ-1中文资料

厂家型号

STGD18N40LZ-1

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18

功能描述

EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT

IGBT 晶体管 EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

STGD18N40LZ-1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGD18N40LZ-1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-4 14:15:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMicroelectronics
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
ST/意法
24+
TO-251
3000
只做原厂渠道 可追溯货源
ST
23+
TO-251
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ST
15+PBF
TO-251
3000
普通
STM
25+
TO-251
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ST/意法
2022+
TO-251
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原厂代理 终端免费提供样品
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32500
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ST
TO-251
22+
10000
终端免费提供样品 可开13%增值税发票
ST
25+
IPAK
35400
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证

STGD18N40LZ-1 价格

参考价格:¥4.3834

型号:STGD18N40LZ-1 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGD18N40LZ-1多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGD18N40LZ-1批发/采购报价,STGD18N40LZ-1行情走势销售排排榜,STGD18N40LZ-1报价。