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STGB8NC60KDT4中文资料

厂家型号

STGB8NC60KDT4

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18

功能描述

600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT

IGBT 晶体管 N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

STGB8NC60KDT4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGB8NC60KDT4

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-5 14:16:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMicroelectronics
24+
NA
3438
进口原装正品优势供应
ST
2447
SMD
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
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5000
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23+
D2PAK
8000
只做原装现货
ST/意法
22+
D2PAK
98579

STGB8NC60KDT4 价格

参考价格:¥3.5655

型号:STGB8NC60KDT4 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGB8NC60KDT4多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGB8NC60KDT4批发/采购报价,STGB8NC60KDT4行情走势销售排排榜,STGB8NC60KDT4报价。