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STGB7NB60FDT4中文资料

厂家型号

STGB7NB60FDT4

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功能描述

N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / D2PAK PowerMESH IGBT

IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

STGB7NB60FDT4数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has de signed an advanced family of IGBTs, the Power MESH™ IGBTs, with outstanding perfomances. The suffix F identifies a family optimized to achieve very low switching switching times for high frequency applications (

■ HIGH INPUT IMPEDANCE

■ LOW ON-VOLTAGE DROP (Vcesat)

■ OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT

■ LOW GATE CHARGE

■ HIGH CURRENT CAPABILITY

■ HIGH FREQUENCY OPERATION

■ CO-PACKAGED WITH TURBOSWITCH™ ANTIPARALLEL DIODE

APPLICATIONS

■ MOTOR CONTROLS

■ SMPS AND PFC AND BOTH HARD SWITCH AND RESONANT TOPOLOGIES

STGB7NB60FDT4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGB7NB60FDT4

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-4 11:03:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
1415+
TO-263
28500
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7000
优势
ST(意法)
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