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DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The built in collector-gate zener exhibits a very precise active clamping while the gate-emitter zener supplies an ESD protection.
■ POLYSILICON GATE VOLTAGE DRIVEN
■ LOW THRESHOLD VOLTAGE
■ LOW ON-VOLTAGE DROP
■ HIGH CURRENT CAPABILITY
■ HIGH VOLTAGE CLAMPING FEATURE
APPLICATIONS
■ ELECTRONIC IGNITION FOR AUTOMOTIVE
STGB20NB32LZT4产品属性
- 类型
描述
- 型号
STGB20NB32LZT4
- 功能描述
IGBT 晶体管 N-Ch Clamped 20 Amp
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
更新时间：2025-8-9 10:32:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
05+ |
原厂原装 |
5051 |
只做全新原装真实现货供应 |
|||
ST |
2016+ |
TO263 |
14822 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
ST |
16+ |
TO263 |
8000 |
原装现货请来电咨询 |
|||
STM |
23+ |
NA |
870 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
ST |
24+ |
TO263 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理 |
|||
ST |
24+ |
TO263 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
|||
ST/意法 |
23+ |
TO263 |
32732 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
ST/意法 |
23+ |
TO263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ST |
22+ |
TO263 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
ST |
23+ |
TO263 |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
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STMICROELECTRONICS相关芯片制造商
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