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STGB12NB60KDT4中文资料

厂家型号

STGB12NB60KDT4

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11

功能描述

N-CHANNEL 18A - 600V TO-220/D2PAK SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBT

IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 18 Amp

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

STGB12NB60KDT4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGB12NB60KDT4

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 18 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-6 13:34:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMICROELEC
24+
原厂封装
4000
原装现货假一罚十
ST
24+
TO-263
7500
ST
23+
TO-263
8650
受权代理!全新原装现货特价热卖!
ST
24+
TO-263
90000
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24+
TO263
20000
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!
ST/意法
25+
TO263
157
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ST
23+
TO263
50000
全新原装正品现货,支持订货
ST/意法
23+
TO263
50000
全新原装正品现货,支持订货
ST
22+
D2PAK
9000
原厂渠道,现货配单
ST/意法
22+
TO263
3000
原装正品,支持实单