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STF8NM60ND中文资料

厂家型号

STF8NM60ND

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17

功能描述

N-channel 600 V, 0.59 , 7 A, FDmesh II Power MOSFET

MOSFET NCH 6V 7A FDMESH FDMesh

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

STF8NM60ND数据手册规格书PDF详情

Description

The FDmesh™ II series belongs to the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company’s strip layout and associates all advantages of reduced onresistance and fast switching with an intrinsic fastrecovery body diode.Strongly recommended for bridge topologies, in ZVS phase-shift converters.

Features

■ The worldwide best RDS(on)* area amongst the fast recovery diode devices

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

■ Extremely high dv/dt and avalanche capabilities

Application

■ Switching applications

STF8NM60ND产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STF8NM60ND

  • 功能描述

    MOSFET NCH 6V 7A FDMESH FDMesh

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-16 14:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMICROELECTRONICS
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