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位置：STB6N62K3 > STB6N62K3详情

STB6N62K3中文资料

STB6N62K3
厂家型号

STB6N62K3
文件大小

1067.12Kbytes
页面数量

19页
功能描述

Very low intrinsic capacitance

MOSFET N-Channel Power Mosfet D2PAK
数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

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STB6N62K3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STB6N62K3

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel Power Mosfet D2PAK

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

STB6N62K3供应商...

更新时间：2026-1-27 10:22:00
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