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Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
Features
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
Applications
■ Switching applications
STB32NM50N产品属性
- 类型
描述
- 型号
STB32NM50N
- 功能描述
MOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-10-6 13:02:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TO-263-3 |
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24+ |
D2PK |
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21+ |
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STB32NM50N 价格
参考价格：￥24.8856
型号：STB32NM50N 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有STB32NM50N多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STB32NM50N批发/采购报价，STB32NM50N行情走势销售排排榜，STB32NM50N报价。
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